由于地区的电价在全球排名垫底，居民和工业用户迄今一直享受着非常低廉的能源账单，不过地区的公营电力供应商宣布将在四月份涨价，据报道，电力公司（Taiwan Power Company，简称台电）正试图整顿其财务状况--巨大的财务漏洞亟待填补，否则这家能源供应商将濒临破产。
所谓的工业超级消费者预计将因电力成本的攀升而受到最严重的打击--这些消费者被归类为能够连续两年使用 50 亿千瓦时（年）电力的组织。TrendForce预测，费率上涨可能高达 30%，影响台积电和美光等半导体公司的主要消费者。
“经济部长”王美花对有关本土半导体业务受到重大价格影响的最新报道做出了回应。她的发言主要针对台积电（TSMC）--据说该公司的代工厂一直保持着高能效模式。
“行政院”拨出的补贴预算可将所谓的超级消费者价格上涨（最多）30% 的说法降至 20% 左右。根据 TrendForce 的分析，四月调整后与其他国家的晶圆厂相比，的电价仍然相对较低。（cnBeta）
集微网消息，推动日本近期涨势的半导体类股本周遭受打击，此前英伟达股价大幅下跌，可能是受今年涨势带来的获利阻碍了股价继续上行。
东京电子3月11日下跌3.2%，3月12日下跌1.7%。英国芯片设计公司Arm的母公司软银集团在这两天下跌了6.7%。测试设备制造商Advantest 3月11日下跌4.8%，3月12日小幅反弹0.9%。经济低迷和日元走强是日经指数本周迄今累计下跌2.2%的主要原因。
英伟达3月8日和3月11日分别下跌5.5%和2%，较3月8日上午触及的盘中纪录高点下跌逾10%。涵盖30家芯片公司的费城半导体指数（SOX）下跌1.4%。
鉴于英伟达股价自2023年底以来飙升了约90%，由于没有明确的直接抛售诱因，许多市场观察人士将其归咎于获利了结。英伟达3月1日截至下午2点反弹约5%。
得益于人工智能热潮带来的资金流入，半导体推动了最近美国和日本的上涨。相对于标准普尔500指数，SOX指数达到了自本世纪初科技泡沫以来的最高水平。在推动日经指数升至本月历史高点的过程中，该行业发挥了重要作用。从去年年底到今年3月4日（基准指数创下历史新高）受英伟达股价上涨的提振，东京电子飙升56%，Advantest飙升54%。
市场过热的迹象已经出现，SOX成分股的12个月预期市盈率已攀升至30倍以上，为2008年金融危机以来的最高水平。百达资产管理策略师田中俊平表示：“在快速上涨后，出现获利了结是很自然的现象。”
市场普遍预计，最近的下跌是对短期经济过热的暂时反应。野村证券高级策略师Makoto Murayama表示：“人工智能芯片仍然供不应求，硅周期正在好转，股价的长期上涨趋势可能会持续下去。”
如果半导体股最终进入更长时间的调整，它们可能会拖累整个市场。美国Wedbush证券公司的Matthew Bryson认为，很难准确预测人工智能需求的时间和规模，即使人们普遍认为英伟达将在人工智能硬件供应方面发挥重要作用，也很难对其进行估值。
集微网消息，根据5名海外知情人士爆料，三星电子HBM（高带宽存储）芯片的制造遇到困难，计划寻求韩国同行的帮助，使用竞争对手的芯片制造技术。尽管目前三星是全球最大的NAND和DRAM存储芯片制造商，但在HBM领域落后于竞争对手。
为了紧跟人工智能（AI）热潮，制造最先进的芯片，消息称三星不得不向SK海力士求助，后者当前在HBM市场处于领先地位。而三星在获取AI芯片领导者英伟达的订单方面，并没有达成可观的交易。
据行业知情人士观点，三星在HBM领域落后的原因之一是，坚持使用热压非导电薄膜（TC NCF）制造技术，这会导致一些生产问题。而SK海力士则大规模采用回流模制底部填充（MR-MUF）技术，可以克服NCF的弱点。
不过，消息人士称三星最近已发出采购订单，将采购专门处理MR-MUF的芯片制造设备。三星还与日本Nagase在内的公司进行谈判，以采购MUF材料。
几位海外分析师表示，三星HBM3芯片的生产良率约为10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可达60%~70%。由于这类芯片需要将多片裸晶片堆叠，并使用硅通孔（TSV）技术，因此这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的机会，导致良率难以提升。
集微网此前报道，三星于2024年2月宣布开发出业界首款12层堆叠HBM3E 12H，容量达到36GB，带宽高达1280GB/s，可显著提高人工智能（AI）训练、推理速度。该产品采用TC NCF热压非导电薄膜制造技术，实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），并且使得芯片热性能得到改善，该产品计划于今年上半年量产。
随着人工智能的发展，业界对最新HBM3、HBM3E芯片的需求旺盛。知情人士称三星可能要等到2025年才可以使用MUF工艺进行大规模生产，目前三星需要进行更多测试。
三星此前曾表示，其内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于制造新的HBM3E芯片。三星在一份声明中表示，“我们正按计划开展HBM3E产品业务”。
据了解，NCF制造技术已被芯片制造商广泛应用于在HBM制造中堆叠多层芯片，因为这有助于最大限度减少厚度。但是，随着层数增加，这一工艺的制造过程会变得更复杂，存在粘合方面的问题。最新的HBM3E芯片提升至12层堆叠，使得这项技术遇到困难。
SK海力士则倾向MR-MUF技术，成为首家向英伟达供应HBM3的芯片厂商。根据韩国分析机构KB Securities统计，SK海力士2024年为英伟达供应的HBM3等这类产品的市场份额预计将超过80%。
三大存储巨头中的美光，也加入HBM芯片的竞争，2024年2月宣布其最新的HBM3E将被英伟达采用，为当前最高性能的H200 AI芯片提供助力。美光的这款芯片将于第二季度开始出货，而消息称三星的HBM没有通过英伟达的验证。
集微网消息，台积电3月对CoWoS设备厂再次启动新一波追单，交机时间预计为2024年四季度。
此前，台积电自2023年4月重启对CoWoS设备下单，第二、三波追加则分别落在2023年6月、10月，之后多是零星增单，今年3月有新一波的积极追单。市场原先预计2024年底台积电CoWoS月产能将达到3.2万~3.5万片，如今预期或超过4万片。
据报道，台积电全力冲刺CoWoS产能，目标2024年翻倍增长，2025年也将持续扩增。台积电去年一开始先将部分InFO产线从龙潭移至南科，挪出空间扩产。台中AP5也从原本规划扩充CoWoS中的WoS，到一并扩充CoW。另规划中的铜锣、嘉义厂也评估再增加产能。
在SoIC封装方面，继AMD之后，苹果也规划导入SoIC制程，计划采用SoIC搭配Hybrid molding （热塑碳纤板复合成型技术），目前正在小量试产中。为满足客户需求，台积电也持续上修产能规划，2023年底SoIC月产能约2000片，目标2024年底达6000片，2025年月产能目标倍增1倍多，有望达到1.4万~1.5万片。
法人表示，在连续追单下，CoWoS交机潮将延续到今年一整年，看好多数供应商首季业绩，全年有望强劲增长。
集微网消息，随着人工智能（AI）的迅速发展，预计今后在韩国AI能够代替的工作岗位将达到327万个，占全体工作岗位的13%。AI能够代替的工作岗位60%集中在专门职业，因此，专门职业工作岗位消失的危险性很大。
3月13日，韩国产业研究院发布的《针对AI时代正式到来的产业人力培养课题》报告显示，2022年韩国企业的AI引进率只有4%，但考虑到ChatGPT等生成式的出现和AI性能的提高速度，“AI时代”有望迅速开启。分析结果显示，今后在韩国AI能够代替的工作岗位将达到327万个，从产业类别来看，依次是制造业（93万个）、建设业(51万个)、专业、科学、技术服务业（46万个）、信息通信业（41万个）。
韩国产业研究院副研究员分析指出:“人工智能代替劳动的情况可能和过去机器人代替生产岗位的情况非常不同，人工智能已经以硕士、博士级开发人力为中心引发了实质性的劳动需求变化。”
该报告指出，在引入AI初期，比起利用AI带来的雇用替代效果，应对引入AI所需的开发人力需求更为紧迫，因此，目前韩国面临的课题是培养AI相关的高学历、专门研究开发人才。
考虑到美国引领人工智能创新，注重培养以微软、谷歌等部门为中心的人力资源，中国则注重培养政府主导下的高层次人工智能人才，韩国也依赖政府政策支持，报告建议需要扩大民间投资。上述研究员表示：“考虑到人工智能将取代很大一部分劳动力，包括高学历、高薪的专业职业，因此有必要针对未来就业岗位的消失，提前做好应对措施。”
集微网消息，全球半导体大战已成为各国家/地区之间的激烈角逐，美国、中国、日本等主要国家/地区纷纷向本国/地区企业或投资本土半导体产业的外国企业提供大量现金支持，以推动半导体产业的增长。然而，在韩国，补贴韩国半导体公司的想法在4月份大选前被忽视，引发了韩国半导体行业人士的担忧。
据报道，台积电2023年从中国和日本政府获得约15.1亿美元补贴。日本政府已宣布计划给予台积电超过1万亿日元的补贴。此外，台积电将根据美国《芯片法案》获得至少50亿美元的补贴。据预测，由于欧盟、中国、新加坡等多国家/地区的竞争性招商政策，台积电将获得约20万亿韩元的补贴。
另一方面，还没有对三星电子提供补贴的消息，三星电子要与台积电竞争。这家韩国半导体巨头仍在等待美国政府的补贴。一些专家表示，韩国政府本应支持韩国芯片制造商，但在半导体补贴竞赛中却已落后。
尤其是韩国最大在野党韩国共同党对韩国半导体产业补贴表现出强烈反对，限制了政府实现此前宣布的支持计划的能力。
美国计划通过《芯片法案》拨款总计527亿美元的补贴，其中390亿美元用于半导体生产，132亿美元用于研发（R&D）。除了台积电之外，美国预计还将宣布对英特尔的补贴，预计拨款规模将超过100亿美元。中国还为自己的半导体行业向台积电提供大量资金支持，以更好地在全球半导体竞赛中与美国竞争。
